檢索結果:共8筆資料 檢索策略: "Lu-Sheng Hong".eadvisor (精準) and ckeyword.raw="電漿輔助化學氣相沉積"
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本論文主要探討如何藉由擴散阻隔層的加入適時阻擋低溫下鋁擴散進入非晶矽/單晶矽異質接合界面,以求得p型背電場形成之同時亦保有高異質接合鈍化效果之目的。我們選用兩種擴散阻隔層:第一種是以5奈米厚的氧化銦…
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本論文以平板式電漿輔助化學氣相沉積系統,成長矽薄膜摻雜層及非晶矽薄膜太陽能電池,分別以三丁基磷與三甲基硼為摻雜原料,成長n型及p型非晶矽薄膜、p型的非晶矽及p型微晶矽薄膜,並探討其光電性質。 在成長…
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本論文以平板式電漿輔助化學氣相沉積系統為基礎,分為兩部分:第一部份為成長低介電係數薄膜,實驗採用一矽烷偶合劑γ-glycidoxypropyl-trimethoxysilane(γ-GPS)及辛氟甲…
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本研究第一部分實驗係利用一低溫鋁擴散於非晶矽膜層使其形成p型多晶矽層之技術,作為矽晶異質接合太陽電池背電場製作的應用。以此技術製備p型膜層的實驗結果顯示,非晶矽層與濺鍍鋁層接觸並經200℃熱處理1小…
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氧化銦鍚(indium tin oxide, ITO)在可見光範圍具有量好的導電性及透光性,因此在光學元件上常利用ITO來增加載子的傳導與收集。以單晶矽太陽能電池為例,除了可以做為透明導電層之外,還…
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本研究主要利用低溫、低電漿密度的UHV-PECVD系統成長太陽能電池的i層鈍化層,其材料種類有a-Si:H、a-SiOx:H、a-SiNx:H及a-SiCONx:H,並使用金屬遮罩搭配獨立腔體聯結式…
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本論文的實驗採用分子結構類似TEOS的含碳氫氟長鏈和矽氧烷分子先驅物十三氟-1,1,2,2-四氫辛烷基-三乙氧基矽烷 (tridecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrooctyl-t…
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本研究係利用一低溫鋁擴散於非晶矽膜層使其形成p型多晶矽層之技 術,作為矽晶異質接合太陽電池製作之應用。以此技術製備p型膜層的實 驗結顯示,沉積厚度為30nm的非晶矽層與20nm厚的濺鍍鋁層接觸並經 …